Pourquoi le silicium est-il meilleur que le germanium ?

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Pourquoi le silicium est-il meilleur que le germanium ?
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Vidéo: Le silicium: pourquoi en avons-nous besoin? 2024, Novembre
Anonim

Pourquoi le silicium est-il généralement préféré au germanium dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs ? Le silicium est abondant à la surface de la terre et donc moins cher que le germanium La cote PIV (Peak Inverse Voltage) du silicium est beaucoup plus élevée que le germanium et peut donc supporter des températures beaucoup plus élevées que le germanium.

Pourquoi le silicium est-il plus utilisé que le germanium ?

La variation du courant de coupure du collecteur avec la température est moindre dans le silicium que dans le germanium. … Cependant, les cristaux de silicium ne sont pas facilement endommagés par une chaleur excessive. Les valeurs nominales de tension inverse maximale des diodes au silicium sont supérieures à celles des diodes au germanium. Si est moins cher en raison de la plus grande abondance d'éléments.

Pourquoi le silicium est-il le meilleur semi-conducteur ?

Le nombre de photons ayant une énergie supérieure au gap du silicium sont les plus grands sur le spectre solaire et c'est pourquoi le silicium est le matériau semi-conducteur le plus connu utilisé pour les cellules solaires depuis son énergie est d'environ 1,1 ev, tandis que la densité de flux de photons est la plus élevée pour ceux qui transportent une énergie supérieure à 1,1 ev.

Qu'est-ce qui est le mieux entre le silicium et le germanium ?

Ge a une plus grande mobilité des électrons et des trous et, à cause de cela, les appareils Ge peuvent fonctionner jusqu'à une fréquence plus élevée que les appareils Si. La diode au germanium est également supérieure à la diode au silicium en termes de perte d'énergie, de perte de courant, etc. La diode Ge ne perd que 0,3 à 0,4 volt alors qu'une diode au silicium perd environ 0,6 à 0,7 volt.

Le germanium est-il une diode ?

peut être utilisé comme redresseur car il offre une résistance relativement élevée pour la polarisation directe et une très faible résistance pour la polarisation inverse.

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